Samsung a lansat, o data cu a cincea generatii V-NAND, memoria de stocare flash (eUFS) de 1TB, pentru dispozitivele mobile (telefoane, tablete…), memorie care pe langa capacitatea de stocare impresionanta, ofera si o viteza de 10 ori mai mare decat viteza unui card tipic microSD.
Prima generatie de memorii de tip eUFS a fost lansata de Samsung acum 4 ani si avea capacitate de maxim 128 GB.
„Modelul 1TB eUFS va juca un rol esential in a aduce experienta de utilizare de pe notebook-uri la urmatoarea generatie de dispozitive mobile. in plus, Samsung se angajeaza sa asigure un lant de aprovizionare fiabil si productie suficienta pentru a suporta lansarea in timp util a smartphone-urilor viitoare in asa fel incat sa sustinem o crestere accelerata pe piata mobila globala.”
Cheol Choi, vice-presedinte executiv al Memory Sales & Marketing Samsung.
Dimensiunea memorie de 1TB eUFS este aceasi (11,5mm x 13,0mm), aceasta fiid facuta prin combinarea a 16 straturi de memorii flash Samsung V1200N (Gb). Ca sa va faceti o idee despre dimesiunea noi memorii, daca ai avea un telefon cu memorie de 1TB vei putea stoca 260 de clipuri video de 10 minute in format 4K UHD (3840×2160). Nu m-ar mira sa vedem aceasta memorie, in toamna pe noul NOTE10.
Mai jos gasti cateva specificatii si comparatii cu vechile memorii eUFS Samsung.